日本菊水胶带总代理

　　空切发生的原因：

　　1、粘着面不清洁。

　　2、胶带与被粘着面粘力不足。
 

粘着面不清洁的解决方法：
 

　　一般使用者遇到空切的问题时，通常都只考虑到粘力不足，不常考虑到圆晶片背面与基板贴合面的状态，清洗贴合面有助于增加胶带的贴合面，通常使用的清洗方法大致有两种：

　　1、超声波清洗。

　　2、电将清洗。
 

胶带与被粘着面粘力不足

　　通常粘力=（胶带与晶片的接触面积）×（胶带对晶圆或基板背面的粘度）

　　所以当晶片越小，或是胶带粘度低时会产生空切的机会说越多。
 

针对空切的解决方法：
 

　　1、选用粘度较大而解卷力又不太高的胶带。

　　2、增加胶带与晶片背面的接触面积（贴合之后固化）。

　　为了增加胶带与晶圆的接触面积，可分为预固化（预热）与贴合之后烘烤两种，预固化主要是在贴合之前利用晶圆夹具台加温，达到胶带贴合到晶圆时胶带的胶层稍微软化，达到较好的贴合效果。

　　贴合之后的烘烤，主要是预固化的效果没有达到的需要的粘力，所以用此方法，预防在划片过程中发生空切现象。

 

胶带的化学特性
 

　　晶圆由于在背面研磨后有TTV值的存在，表示并非百分之百的平面，用烤箱烘烤使胶层软化，以达到填充晶圆背面的微小凹面，使胶带与晶圆背面的接触面增加，以达到增加粘力的效果。
 

粘着力(gf/20cm)


　　由图可知，当胶层温度由23℃上升到60℃时（由A到B），胶层的粘度变小，但胶的流动性变大，使胶层比较容易渗入不平整的晶圆背面，以增加接触面积，当晶圆要切割之前，胶层又回到原来的温度（B到A’），因为胶对温度的变化是一种不可逆的过程，所以A不等于A’。
 

　　烘烤前胶带与晶圆的粘力=（A的粘度）×（烘烤前胶带与晶圆的接触面积）

　　烘烤后胶带与晶圆的粘力=（A’的粘度）×（烘烤前胶带与晶圆的接触面积）
 

　　由于并非长时间烘烤，所以A的粘度与A’的粘度并不会大幅改变，主要改变粘力的因素在于胶带与晶圆的接触面积的增加。

胶带与晶圆的接触面积（%）


　　用烘烤的方法增加粘力，基本上有一些限制，当胶带贴合到矽晶圆的背面后以60 ℃热源烘烤三分钟其胶带与晶圆的接触面积已经达到80%以上，此时若再继续烘烤十分钟最多增加10%，所以我们可以得出结论，虽然烤的越久，胶带与晶圆的接触面积增加越多所以越粘，但后面的烘烤时间也会越没效率。

 

烘烤的缺点：
 

　　烘烤的目的就是要增加粘性，对解决空切而言当然越粘越好，但对于晶片粘合而言， 胶带越粘，顶针的力量就越大，对晶圆背面留下的伤痕的机会也越大，所以建议您使用晶圆切割胶带时，如果晶片的尺寸小于2mm×2mm，或是您有如上述顶针刮痕的问题，我们建议使用UV膜胶带。

　　(2) 对晶片而言,切割边就是最后一个支撑边,如果没有很优良的胶带做为切割平台, 晶圆很容易发生碎屑。

　　制造误差越小，胶带的表面越平整，碎屑的问题就越小。

　　解决方法：如果使用一般的胶带，那么建议使用电子级的胶带。

　　3、刀具切入胶带的深度


　　基本上,刀具穿晶圆后切入胶带的深度越大，越不容易碎屑，但是也不能切的太深。

　　1、使用胶带厚度较厚，同样是PVC基材的胶带。

　　2、使用相同厚度的胶带，但其基材必须为不可扩展的(Non-Expandable Base Film)胶带。

　　4、切割平台

　　切割(划片)时会碎屑的现象，除了以上原因外，最重要的原因在于划片过程中如何保持晶片不受移动是非常重要的，胶层太软，容易使晶片在划片过程中晃动而产生碎屑。

　　提高胶层硬度，因为胶层紧贴着晶圆。在划片过程中，胶层的作用就等于的切割平台，切割平台够硬，碎屑问题自然改善。